机译:16 nm FinFET D触发器中单事件翻转的偏置相关性
机译:重离子轰击对16nm体FinFET技术中触发器设计的单事件翻转响应的角度影响
机译:14 nm散装FinFET技术中倒装芯片封装SRAM装置的重离子诱导单事件镦锻响应的角度效应
机译:16 nm和7 nm FinFET SRAM的软错误率的缩放趋势和偏置依赖性
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:随机离散掺杂剂引起的具有固定顶鳍宽度的16nm栅极梯形体FinFET器件的电特性波动
机译:高级商用PowerPC微处理器中单事件干扰的频率依赖性